Видеоматериалы 

к лекции 29.04.20

"Германий. Кремний. Карбид кремния"

Напоминаю, 7 мая контрольная работа по курсу КЭТ
на тему "Конденсаторы"

Примерная контрольная 

(есть на сайте ДГУ в рабочей программе по КЭТ)

Контрольная работа 2

Конденсаторы

Вариант 1

1.       Классификация конденсаторов.

2.       Перечислите типичные конструкции конденсаторов.

3.       На рисунке приведена ____________ конструкция конденсатора.

4.       Как изображают конденсаторы на принципиальных схемах?

5.       На рисунке буквой «д» приведено обозначение конденсатора, который называется ________.

6.        В наборе цифр, означающих номинальное значение емкости, вместо _________ ставят букву, указывающую в каких единицах выражена емкость.

7.        Справедливо ли утверждение, что бумажные конденсаторы используются как высокочастотные ?________.

8.       Напряженность электрического поля плоского воздушного конденсатора емкостью 4 мкФ равна 100 В/м. Расстояние между обкладками конденсатора 1 мм. Определите энергию электрического поля конденсатора.

Вариант 2

1.   Основные конструкции конденсаторов.

2.   Как можно условно разделить  конденсаторы по назначению?:

3.   На рисунке приведена ____________ конструкция конденсатора.

4.   Что оказывает наибольшее влияние на емкость конденсатора?

5.   Переменный конденсатор обозначен на рисунке буквой _____.

6.   Полупроводниковый диод с обратносмещенным p - n – переходом, который используется в качестве электрически управляемой емкости называется ____________.

7.   Справедливо ли утверждение, что существует сухие бумажные конденсаторы ? ________.

8.    Между обкладками изолированного плоского конденсатора, заряженного до разности потенциалов 400 В, находится пластина с диэлектрической проницаемостью e = 5, примыкающая вплотную к обкладкам. Какова будет разность потенциалов между обкладками конденсатора после удаления диэлектрика?

Вариант 3

1.       Параметры конденсаторов.

2.       Из названия конденсаторов ___________ емкости вытекает, что их емкость является фиксированной и в процессе эксплуатации не регулируется.

3.       Справедливо ли утверждение, что на рисунке приведена пакетная конструкция конденсатора? (ответить да или нет):

4.       Что является основными параметрами конденсатора?

5.       Выберите среди приведенных ниже обозначений то, которое соответствует электролитическому конденсатору_______.

6.       Конденсатор с диэлектриком из сегнетоэлектрического материала называется__________.

7.       Особенностью электролитических конденсаторов является _____________.

8.       Расстояние между обкладками плоского воздушного конденсатора 0,3 см. Во сколько раз увеличится энергия электрического поля конденсатора, если обкладки конденсатора раздвинуть до расстояния 1,2 см? Конденсатор после сообщения ему электрического заряда был отключен от источника напряжения.

Вариант 4

1.       Система обозначений и маркировка конденсаторов.

2.       Конденсаторы __________ допускают изменение емкости в процессе функционирования аппаратуры.

3.       На рисунке приведена ___________ конструкция конденсатора.

4.       Единственным тугоплавким металлом, используемым для создания электролитических и тонкопленочных конденсаторов, является __________.

5.       Вариконд  обозначен на рисунке буквой ____

6.       Для цветовой индексации номинальной емкости и допуска на корпусе миниатюрных конденсаторов используют ____ цветных полоски вблизи одного из торцов.

7.       Справедливо ли утверждение, что бумажные конденсаторы обладают большой емкостью? ________.

8.        Плоский воздушный конденсатор емкостью 1 мкФ соединили с источником напряжения, в результате чего он приобрел заряд 10 мкКл. Расстояние между пластинами конденсатора 5 мм. Определите напряженность поля внутри конденсатора.

Вариант 5

1.       Основные разновидности конденсаторов.

2.       Как подразделяют конденсаторы по характеру изменения емкости?

3.       На рисунке приведена ____________ конструкция конденсатора.

4.       ___________ конденсатор образуется путем свертывания в рулон бумажной ленты толщиной около 5 - 6 мкм и ленты из металлической фольги  толщиной около 10 - 20 мкм.

5.       Выберите на рисунке обозначение конденсатора, созданного на основе сегнетоэлектрика_________.

6.       Какие параметры указывают на принципиальных схемах около конденсаторов?

7.       Что является единственным недостатком керамических конденсаторов?

8.       Расстояние между пластинами заряженного плоского конденсатора уменьшили в 2 раза. Во сколько раз увеличится при этом напряженность поля конденсатора, если он все время остается присоединенным к источнику напряжения?.

Вариант 6

1.       Конденсаторы с нелинейной ВФХ (варикап).

2.       Что представляет собой простейший конденсатор?

3.       На рисунке приведено устройство __________ ____конденсатора.

4.       Рулонная конструкция конденсаторов характерна для __________ пленочных низкочастотных конденсаторов, обладающих большой емкостью.

5.       Подстроечный конденсатор обозначен на рисунке буквой ____.

6.       Маркой, в которую входят буквы КН, цифры, соответствующие точке Кюри, и порядковый номер изделия, обозначается___________.

7.       Какие конструкции конденсаторов относятся к высокочастотным?

8.       Емкость плоского конденсатора равна 6 мкФ. Чему будет равна его емкость, если расстояние между пластинами увеличить в 2 раза, а затем пространство между пластинами заполнить диэлектриком с e = 5?

Вариант 7

1.       Конденсаторы с нелинейной ВФХ (вариконд).

2.       Количественной мерой способности накапливать электрические заряды является _________ конденсатора.

3.       На рисунке приведена ________ конструкция конденсатора.

4.       Что используют в качестве конденсаторов полупроводниковых ИМС?

5.       К конденсаторам специального назначения относятся конденсаторы, приведенные на рисунке, обозначенные буквами _______.

6.      Установить соответствие между маркировкой конденсаторов и характером изменения емкости: 1. К; 2. КП; 3. КТ

7.       Изменение емкости обусловлено изменением линейных размеров обкладок конденсатора и диэлектрика, но в основном изменением ____________ диэлектрика.

8.       Конденсатор образован двумя квадратными пластинами, отстоящими друг от друга в вакууме на расстояние 0,88 мм. Чему должна быть равна сторона квадрата, чтобы емкость конденсатора составляла 1 пФ?

Доброе утро! Новые темы: Германий, Кремний,Карбид кремния. 

Презентации  на почте

Литература:

1. Материалы электронной техники. С. 133 — 159..
2. Колесов С.М.  Материаловедение и технология конструкционных материалов. С.313— 319, 322-324..
3. Журавлева Л. В., Электроматериаловедение  С. 109 — 123, 127 -129. 

30.04.20 — практическое занятие по МЭТ и КЭТ (видеоконференция).

6,05.20 — контрольная работа по КЭТ (Конденсаторы).

Пока решаем задачи, которые на блоге и повторяем вопросы для самоконтроля (32)

Решаем задачи!

Кто хочет получить более 66 баллов по МЭТ - решаем задачи. 

Они все однотипные, открываем учебник, не спим днем.

Задачи: 3.2.7 - 3.2.10; 3.2.13; 3.2.14; 3.2.17; 3.3.8; 3.2.52

 Крайний срок: 30 апреля

23.04.20. Доброе утро!

 Теория по КЭТ.

Тема занятий специальные конденсаторы. Презентация на почте. Здесь:

Литература

1. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника С.133 — 138.
2. 1-й прикрепленный учебник С.70 — 88.
3. 2-й прикрепленный учебник  С.145 — 141.
4. Методичка «Пассвные элементы» С.63 — 80.

Видео по теме

Домашнее задание: 

Доброе утро! 

Новые темы для самостоятельного изучения: Фотопроводимость полупроводников, Люминесценция в полупроводниках. Эффект Холла. 

Литература:

1. Материалы электронной техники. С. 116 — 122, 123 — 126..
2. Колесов С.М.  Материаловедение и технология конструкционных материалов. С.281— 285.
3. Журавлева Л. В., Электроматериаловедение  С. 102 — 107. 

23.04.20 — практическое занятие по МЭТ и КЭТ.

Практическое занятие
По МЭТ 20.04.20

Физический диктант

1.     Что такое неравновесные носители заряда в полупроводниках?

2.     Перечислите основные механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниках?

3.     Что создает рекомбинационные ловушки в полупроводниках?

4.     Чем отличаются рекомбинационные ловушки от ловушек захвата?

5.     Чем отличается излучательная рекомбинация от безизлучательной?

6.     Перечислите основные параметры процесса рекомбинации

7.     Перечислите основные механизмы поглощения света в полупроводниках.

8.     Справедливо ли утверждение, что при падении света на поверхность полупроводника он полностью поглощается?

9.     Что такое экситон?

10. Какие механизмы поглощения света в полупроводниках являются фотоактивными и почему

11.  Что такое спектр поглощения света?

12.  Что такое подвижность носителей заряда? Записать формулу.

Задачи 3.2.7 – 3.2.10

Порядок решения задач по физике!!!

1. Условия задачи записываются в разделе "Дано" (слово "Дано" записывается обязательно!)

2. В условии задачи записываются все данные, приведенные в задаче. В том числе справочные данные, необходимые при решении.

3. Там же  указываются искомые величины, а через дефис знак вопроса?

4. Все единицы измерения данных обязательно переводятся в систему СИ.

5. Решение начинается с записи исходных формул.

6. Порядок записи формул должен быть такой, чтобы можно было проследить логическую цепочку решения.

7.  Никаких промежуточных вычислений быть не должно!

8. Посредством математических преобразований необходимо получить конечную формулу и только потом! производить расчеты.

9. Расчет искомой величины проводить с новой строки путем подстановки численных значений из раздела "Дано", выраженных в единицах системы СИ.

10. Ответ записывается в виде числа и единиц измерений искомой величины.

11. При необходимости и для проверки полученной конечной формулы производится проверка размерности.

И только в таком виде задача сдается на проверку!!!

Домашнее задание по МЭТ на понедельник 20.04.20

1. изучаем теорию "Неравновесные носители заряда и механизмы рекомбинации в полупроводнике. Поглощение света в полупроводнике" (см презентации на почте.)

2. Решаем задачи (все консультации по whatsapp). Задачи: 3.2.13; 3.2.14; 3.2.17; 3.3.8

НЕСКОЛЬКО ГИФОК ОБ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

А ЭТО ПРОВОДНИКИ

А ЭТО ДИЭЛЕКТРИК

Добрый день!

Сегодня у нас практические занятия по КЭТ

Напоминаю всем, что необходимо сдавать рефераты по КЭТ. Желательно в форме презентации!!!

Надеюсь, все разобрались с заданной темой, просмотрели презентации и подготовились к занятиям!

Начинаем как всегда:

 Физический диктант:

a.      Что собой представляет простейший конденсатор?

b.     Основной параметр конденсатора?

c.      Как делятся конденсаторы по назначению?

d.     Как классифицируются конденсаторы по постоянств емкости?

e.      Как конденсатор обозначается на принципиальной электрической схеме?

f.       Основные конструкции конденсаторов.

g.     Можно ли при создании кондесаторов в качестве диэлектрика использовать бумагу?

h.     Основные параметры конденсаторов.

i.       Справедливо ли утверждение, что конденсаторы не являются стандартизированными изделиями?

j.       Как обозначается на схеме электролитический конденсатор?

Далее решаем задачи!

Задачи.

1.   

a. Конденсатор образован двумя квадратными пластинами, отстоящими друг от друга в вакууме на расстояние 0.88 мм. Чему должна быть равна сторона квадрата, чтобы емкость конденсатора составляла 1 пФ?

b.  Емкость плоского конденсатора равна 6 мкф. Чему будет равна его емкость, если расстояние между пластинами увеличить в 2 раза, а затем пространство между пластинами заполнить диэлектриком с диэлектрической проницаемостью  = 5?

c.  Между обкладками изолированного плоского конденсатора, заряженного до разности потенциалов 400 В, находится пластина с диэлектрической проницаемостью = 5, примыкающая вплотную к обкладкам. Какова будет разность потенциалов между обкладками конденсатора после удаления диэлектрика?

d.  Напряженность электрического поля плоского воздушного конденсатора емкостью 4 мкФ равна 100 в/м. Расстояние между обкладками конденсатора 1 мм. Определите энергию электрического поля конденсатора.

e. Расстояние между обкладками плоского воздушного конденсатора 0.3 см. Во сколько раз увеличится энергия  электрического поля конденсатора, если обкладки конденсатора раздвинуть до расстояния 1,2 см? Конденсатор после сообщения ему электрического заряда был отключен от источника напряжения.

Жду ответов! 

Кто первый решит правильно все задачи обещаю поощрение 100 баллов!

3.   

Добрый день

Домашнее задание по МЭТ на 16.04.20.

Задачи из прикрепленного учебника 3.2.7 -3.2.10; 3.2.17. Теория, отправленная сегодня и в понедельник. Завтра физический диктант  и задачи.

Добрый день!

По КЭТ тоже практическое: повторяем теорию!!!!

13.04.20

Доброе утро!

Продолжаем сидеть дома и самостоятельно изучаем темы «Температурная зависимость концентрации носителей заряда»,«Механизмы рассеяния и подвижность носителей заряда в полупроводниках», «Температурная зависимость удельной проводимости полупроводников» :

1. Материалы электронной техники. С. 98 — 106.
2. Петров К.С Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. С.70— 77.
3. Колесов С.Н. Материаловедение С.274 — 277.

Для лучшего освоения материала отправляю презентацию на заданную тему и вопросы для самостоятельного контроля на почту!!!..

15.04.20 также разбор нового теоретического материала.

Для контроля изученного материала разбираем задачи и вопросы из задачника «Материалы электронной техники. Задачи и вопросы.»: 3.2.1; 3.2.3;3.2.5.

Доброе утро!
Продолжаем заниматься на расстоянии.

Смотрим ролики, касающиеся проводимости полупроводников и их свойств

Зонная теория твердых тел

Самостоятельная работа 9.04.20.

Вариант 1

1.    Уровень Ферми в полупроводнике находится на 0,3 эВ ниже дна зоны проводимости. Какова вероятность того, что при комнатной температуре энергетические уровни, расположенные на 3 kT выше зоны проводимости, заняты электронами? Какова вероятность того, что на уровне, расположенном у потолка валентной зоны, содержаться дырки, если ширина запрещенной зоны полупроводника 1,1 эВ?

2.    Каким соотношением связаны между собой концентрации электронов и дырок в невырожденном полупроводнике при теромодинамическом равновесии?

3.    Основная особенность (специфика) собственного полупроводника?

4.    Что такое уровень Ферми? Чем он отличается от энергии Ферми?

Вариант 2

1.    Определить вероятность заполнения электронами энергетического уровня, расположенного  на 10 kT выше уровня Ферми.  Как изменится вероятность заполнения этого уровня  электронами,  если  температуру увеличить в 2 раза?

2.    Что такое собственный полупроводник? Может ли примесный полупроводник обладать собственной электропроводностью?

3.    При каких условиях энергетические уровни примесей в полупроводниках можно считать дискретными?

4.    Что такое уровень Ферми? Чем он отличается от энергии Ферми?

Вариант 3

1.    Уровень Ферми полупроводника находится на 0,01 эВ выше потолка валентной зоны. Рассчитать: а) вероятность появления дырки на  верхнем уровне валентной зоны при 300 и 50 К; б) вероятность нахождения электрона на дне зоны проводимости при 300  К при ширине запрещенной зоны полупроводника 0,67 эВ.

2.    Сколько электронов находится на уровне Ферми в собственном полупроводнике?

3.    Отличительные особенности полупроводников (как минимум три).

4.    Что такое уровень Ферми? Чем он отличается от энергии Ферми?

Вариант 4

1.    Определить, на сколько различаются вероятности заполнения электронами нижнего уровня зоны проводимости в собственном германии и собственном кремнии при 100 К.

2.    При комнатной температуре средняя энергия тепловых колебаний атомов существенно меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Каким образом электроны из валентной зоны могут переходить в зону проводимости в собственном полупроводнике?

3.    Где находится уровень Ферми для собственного полупроводника?

4.    Что такое уровень Ферми? Чем он отличается от энергии Ферми?

Вариант 5

1.     Концентрация  электронов  проводимости в полупроводнике равна 10¹⁸ м^-3. Определить концентрацию дырок в этом полупроводнике, если известно, что собственная концентрация носителей заряда при этой же температуре равна 10¹⁶ м^-3.

2.    Объясните, какая из дырок обладает большей энергией: в центре валентной зоны или у ее потолка.

3.    Что такое энергия ионизации донора и акцептора?

4.    Что такое уровень Ферми? Чем он отличается от энергии Ферми?

Вариант 6

1.    Определить, на сколько различаются вероятности заполнения электронами нижнего уровня зоны проводимости в собственном германии и собственном кремнии при 300 К.

2.    Что такое примесный полупроводник? Какие типы примесных полупроводников Вам известны?

3.    Существует ли принципиальное различие между электронами проводимости в полупроводниках (и металлах) и свободными электронами?

4.    Что такое уровень Ферми? Чем он отличается от энергии Ферми?

СДАТЬ ДО 19-00!