Примерная контрольная работа

Контрольная работа 1

Резисторы

Вариант 1

1.   Как называются радиокомпоненты электронной техники, которые предназначены для перераспределения электрической энергии?

2.   Что такое чип – резистор?

3.   Возможность изменения сопротивления в процессе эксплуатации предусмотрена у ___________ резисторов

4.   Как определяется величина объемного сопротивления материала?

5.    Какие внешние факторы могут изменять сопротивление специальных резисторов?

6.   Как определяется мощность, выделяемая в резисторе в виде тепла, определяется величиной приложенного к нему напряжения  и протекающего тока  ?

7.   Укажите, какие из приведенных на рисунке резисторов являются постояннымие:

8.   Укажите, какое из обозначений является маркой резистора: МЛТ, С2-8, Р2-15, СП5-1, РП-80.

9.    Как маркируются терморезисторы на корпусе резистивного элемента?

10.   Наиболее перспективными среди обмоточных проводов являются провода с ____________ изоляцией, так как имеют наименьшую толщину изоляции (0,007... 0,065 мм).

Вариант 2

1.   К каким компонентам относят компоненты, которые способны преобразовывать электрические сигналы и усиливать их мощность?

2.   В каком виде могут быть выполнены резисторы гибридных ИМС?

3.   Для сравнительной оценки проводящих свойств тонких пленок используют параметр, который называется _____________?

4.   На рисунке представлена конструкция ___________ резистора

5.   Перечислите известные Вам специальные резисторы?

6.   Что значат обозначения Е3, Е6, Е12, Е24, Е48, Е96 и Е192?

7.   Какие из резисторов, приведенных на рисунке, относятся к переменным:

8.   При буквенно - кодовой маркировке вместо ________ в наборе цифр, означающих номинальное значение сопротивления, ставят букву, указывающую, в каких единицах выражено сопротивление.

9.    Обозначения каких резисторов и какого номинала приведены на рисунке

10.   В качестве пленочной изоляции для проводов, которые используют для изготовления обмоток трансформаторов, применяют ____________ ленту, хорошо пропитанную минеральным маслом.

Вариант 3

1.   Какие элементы радиоэлектронной аппаратуры относятся к пассивным?

2.   Резистор, сопротивление которого изменяется под действием температуры, называется___________

3.   Расшифруйте обозначения резисторов, применяемые в соответствии с ГОСТ в с 1980 г:  Р;  РП; РН.

4.   Определить конструкцию резистора, представленного на рисунке

5.   Как на принципиальных схемах указывают мощность резисторов?

6.   Расшифруйте величину номинального сопротивление резистора К47В или К47М.

7.   Максимальным номинальным сопротивлением на приведенном рисунке обладает резистор под буквой:

8.   Резистор, сопротивление которого изменяется под влиянием механических воздействий называется____________.

9.   Чем различаются резистивные элементы приведенные на левом и правом рисунках?

10. Для распознавания монтажных проводов их изоляционные оболочки обычно окрашивают в __________ цвета.

Вариант 4

1.     Какую функцию выполняют резисторы как элементы радиоэлектронной аппаратуры?

2.     Фиксированную величину сопротивления имеют _________ резисторы.

3.     Как изображают резисторы на принципиальных схемах?

4.     Что представляют собой резисторы гибридных ИМС

5.     Справедливо ли обозначение постоянных резисторов буквой СП, а переменных - буквами С?

6.     Расшифруйте марку резистора С2 – 8

7.     Расшифруйте номиналы резисторов, приведенных на рисунке:

8.     Справедливо ли утверждение, что на миниатюрных резисторах в наборе цифр, означающих номинальное значение сопротивления, ноль, стоящий до или после запятой не ставят?

9.     Что за резистивные элементы приведены на картинке?

10. Шнуры выпускают состоящими из ________ изолированных и свитых друг с другом жил.

Вариант 5

1.     На чем основан принцип действия резисторов?

2.     Под действием внешних факторов: протекающего тока или приложенного напряжения, температуры, освещения и т. д. изменяется сопротивление ___________ резисторов

3.     Как делятся по назначению дискретные резисторы?

4.     Как увеличивают сопротивление пленочного резистора?

5.     Какие параметры указывают на принципиальных схемах вместе с обозначением резистора?

6.     Расшифруйте марку резистора Р2-15:

7.     На рисунке, под буквой «ж» приведено обозначение __________ резистора.

8.     Для цветовой индексации номинального сопротивления и допуска на корпусе миниатюрных резисторов используют ____ цветных полоски вблизи одного из торцов (записать цифру).

9.     Какие резистивные элементы приведены на схеме и чем отличаются левый и правый рисунки

10.  Какие провода обладают большей гибкостью – одно – или многожильные?

Вариант 6

1.     Что является особенностью резисторов?

2.     Резистор, сопротивление которого изменяется под действием протекающего тока или приложенного напряжения, называется___________.

3.     Как различают резисторы по виду токопроводящего элемента?

4.     Справедливо ли утверждение, что переменные резисторы могут иметь разный закон изменения сопротивления в зависимости от угла поворота вращающейся оси?

5.     Справедливо ли утверждение, что в наборе цифр, означающих номинальное значение сопротивление, на корпусе резистора ставят запятую?

6.     Чему равно номинальное сопротивление резистора 6Е8К?

7.     Расположите резисторы, приведенные на рисунке, в порядке убывания номинальной мощности:

8.     Укажите, какая из маркировок подстроечных и регулировочных резисторов является ошибочной - СТ5-1, СП5-6, РП-25, РН-80:

9.     Какие резисторы обозначаются на схеме следующим образом?

 

10. Провода выпускаются с токопроводящей жилой из одной проволоки или из большого числа параллельно уложенных проволок, изготовленных из _____________.

Вариант 7.

1.   Как подразделяют резисторы по постоянству сопротивления?

2.   Резистор, сопротивление которого изменяется под действием освещения, называется_____________

3.   Каким может быть резистивный элемент в резисторы?

4.   Какой резистор приведен на рисунке?

5.   Что указывают вместо запятой в наборе цифр означающих номинальное значение сопротивление?

6.   Чему равно номинальное сопротивление резистора Г91И

7.   На приведенном рисунке под буквой «е» приведено графическое обозначение

      ___________ резистора:

8.   Справедливо ли утверждение, что мощность резистора указывают на принципиальных схемах в виде цифр возле обозначения резистора?

9.   Какой резистивный элемент приведен на рисунке?

10.                      Провода с ___________ изоляцией обладают высокой гигроскопичностью, что снижает их электроизоляционные свойства при воздействии повышенной влажности.

Тематика рефератов по курсу "Компоненты электронной техники".

1.            Варисторы.

2.            Вариометр (катушка переменной индуктивности).

3.            Переменные резисторы.

4.            Фоторезисторы.

5.            Терморезисторы.

6.            Тензорезисторы.

7.            Магниторезисторы.

8.            Переменные резисторы.

9.            Резисторы для ИМС.

10.        Варикапы.

11.        Вариконды.

12.        Переменные конденсаторы.

13.        Конденсаторы для ИМС.

14.        Электролитические конденсаторы.

15.        Электролюминесцентные конденсаторы.

16.        Дроссели.

17.        Катушки индуктивности для ИМС.

18.        Контурные катушки индуктивности.

19.       Импульсные трансформаторы.

20.       Кабеля.

21.       Подстроечные резисторы.
22.   Ионисторы

Специальные резисторы

Тематика рефератов

по курсу «Введение в физику полупроводников»

1.            Зонная структура металлов, полупроводников и диэлектриков.

2.            Эффект Холла в полупроводниках.

3.            Очень узкозонные полупроводники.

4.            Оксидные полупроводники.

5.            Сверхпроводящие полупроводники

6.            Эффект Ганна.

7.            Магнитные полупроводники.

8.            Органические полупроводники.

9.            Тугоплавкие полупроводники.

10.        Аморфные полупроводники.

11.        Лазерный эффект в полупроводниках.

Напоминаю студентам 2 курса 1 группы, что консультация к экзамену будет 10 июня, а экзамен - 11июня  (предварительно)!

Вопросы по курсу «Материалы электронной техники» для 2 курса

1.           Классификация материалов. Общие сведения о проводниках.

2.           Природа электропроводности металлов (теория Друде – Лоренца).

3.           Природа электропроводности металлов (теория Зоммерфельда – Френкеля)

4.           Температурная зависимость удельного сопротивления металлических проводников.

5.           Влияние примесей и других структурных дефектов на удельное сопротивление металлов.

6.           Электрические свойства металлических сплавов.

7.           Сопротивление тонких металлических пленок. Размерные эффекты.

8.           Материалы высокой проводимости.

9.           Сверхпроводящие металлы и сплавы.

10.       Сплавы высокого сопротивления и сплавы для термопар.

11.       Неметаллические проводящие материалы.

12.       Тугоплавкие металлы.

13.       Припои.

14.       Собственные и примесные полупроводники. Основные и неосновные носители заряда.

15.       Температурная зависимость концентрации и подвижности носителей заряда.

16.       Температурная зависимость удельной проводимости полупроводников.

17.       Неравновесные носители заряда и механизмы рекомбинации.

18.       Поглощение света полупроводниками.

19.       Фотопроводимость полупроводников.

20.       Люминесценция в полупроводниках.

21.       Эффект Холла в полупроводниках.

22.       Германий.

23.       Кремний.

24.       Карбид кремния.

25.       Полупроводниковые соединения типа А³В⁵.

26.       Полупроводниковые соединения типа А²В⁶ и А⁴В⁶.

27.       Основные понятия и поляризация диэлектриков. Механизмы поляризации.

28.       Токи смещения и электропроводность диэлектриков.

29.       Потери в диэлектриках. Виды потерь.

30.       Пробой диэлектриков. Виды пробоя в твердых диэлектриках.

31.       Ситаллы.

32.       Керамика.

33.       Композиционные пластмассы и слоистые пластики.

34.       Сегнетоэлектрики.

35.       Пьезоэлектрики.

36.       Пироэлектрики.

Внимание!
Примерные варианты 
Контрольной работы
на тему

 "Полупроводниковые материалы"

Вариант 1

1.     Неравновесные носители заряда. Механизмы рекомбинации в полупроводниках.

2.     Карбид кремния.

3.     Сколько электронов находится на уровне Ферми в собственном    полупроводнике?

4.     Какие полупроводниковые материалы используются в качестве люминофоров?

5.     Определить подвижность и концентрацию  электронов  в  кремнии n-типа, удельное сопротивление которого r =1,8*10^-2 Ом м,  а коэффициент Холла R_H =2,1*10^-3 м³/Кл.

 

Вариант 2

1.     Поглощение света в полупроводниках.

2.     Полупроводниковые соединения типа А⁴В⁶

3.     При комнатной температуре средняя энергия тепловых колебаний атомов существенно меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Каким образом электроны из валентной зоны могут переходить в зону проводимости в собственном полупроводнике?

4.     Какие материалы используются для изготовления инжекционных лазеров и светодиодов?

5.     Определить максимальную ширину запрещенной зоны,  которую может иметь полупроводник, используемый в качестве фотодетектора, если он должен быть чувствительным к излучению  с  длиной волны l = 565 нм.

 

Вариант 3

1.     Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках.

2.     Полупроводниковые соединения типа А²В⁶

3.     Основные признаки полупроводниковых материалов.

4.     Какие примесные элементы дают в Si и Ge мелкие акцепторные и примесные уровни?

5.     Вычислить диффузионную длину дырок в германии n-типа, если время жизни неосновных носителей заряда t_p = 10^-4 с, а коэффициент диффузии D_p = 4,8*10^-3 м²/c.

 

Вариант 4

1.     Германий.

2.     Эффект Холла.

3.     Объясните, какая из дырок обладает большей энергией: в центре валентной зоны или у ее потолка.

4.     В чем заключается отличие рекомбинационных ловушек от ловушек захвата? Как изменяется фотопроводимость полупроводников при увеличении числа рекомбинационных ловушек?

5.     Эпитаксиальный слой n - GaAs имеет при комнатной температуре удельное сопротивление 5*10^-3 Ом м. Определить концентрацию доноров в слое, если подвижность электронов 0,8 м²/(В с).

 

Вариант 5

1.     Кремний.

2.     Температурная зависимость подвижности носителей заряда.

3.     При каких условиях энергетические уровни примесей можно считать дискретными?

4.     Как с помощью эффекта Холла определить тип проводимости полупроводника?

5.     Удельное сопротивление антимонида индия с концентрацией дырок p=10²³ м^-3 при температуре 300К составляет 3,5 10^-4 Ом м. Определить подвижность электронов и дырок, если их отношение m_n/m_p = 40, а собственная концентрация носителей заряда при  этой температуре n_i = 2 10²² м^-3.

 

Вариант 6

1.     Фотопроводимость полупроводников.

2.     Карбид кремния.

3.     Что такое собственный полупроводник? Может ли примесный полупроводник обладать собственной электропроводностью?

4.     Назовите химические элементы, обладающие свойствами полупроводников. Какие из них имеют наибольшее применение?

5.     Вычислить удельное сопротивление p-Ge с концентрацией дырок 4*10¹⁹  м^-3. Найти отношение электронной проводимости к дырочной. Собственная концентрация носителей заряда 2,1*10¹⁹ м^-3, подвижность электронов 0,39 м²/(В с), дырок 0,19 м²/(В с).

 

Вариант 7

1.     Люминесценция в полупроводниках.

2.     Полупроводниковые соединения типа А²В⁶

3.     Может ли проводимость полупроводника уменьшаться при повышении температуры?

4.     Объясните, почему при одинаковом содержании примесей поликристаллический кремний обладает более высоким удельным сопротивлением, чем монокристаллический материал.

5.     Определить удельное сопротивление полупроводника n - типа, если концентрация электронов проводимости в нем равна 10²² м^-3, а их подвижность 0,5 м²/(В с).

 

Вариант 8

1.     Полупроводниковые соединения типа А³В⁵.

2.     Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках

3.     Каким соотношением связаны между собой концентрации электронов и дырок в невырожденном полупроводнике при термодинамическом равновесии?

4.     Существует ли принципиальное различие между электронами проводимости в полупроводниках (и металлах) и свободными электронами?

5.     При напряженности электрического поля 100 В/м плотность тока через полупроводник 6*10⁴ А/м². Определить концентрацию электронов проводимости в полупроводнике, если их подвижность 0,375 м²/(В*с). Дырочной составляющей пренебречь.

 

Вариант 9

1.     Температурная зависимость проводимости в полупроводниках.

2.     Кремний.

3.     Назовите основные механизмы поглощения света в полупроводниках. Какие из них являются фотоактивными?

4.     Почему у соединений типа А²В⁶ возникают сложности с инверсией типа проводимости?

5.     Концентрация электронов проводимости в полупроводнике равна 10¹⁸ м^-3. Определить концентрацию дырок в этом полупроводнике, если известно, что собственная концентрация носителей заряда при этой же температуре равна 10¹⁶ м^-3.

Вариант 10

1.     Собственный и примесный полупроводник.

2.     Полупроводниковые соединения типа А⁴В⁶

3.     Что понимают под фоторезистивным эффектом?

4.     Каким типом электропроводности обладают полупроводники типа А³В⁵, легированные атомами элементов IV группы Периодической таблицы элементов?

5.     Удельное сопротивление собственного кремния при 300 К равно 2000 Ом м, собственная концентрация носителей заряда n_i = 1,5 10¹⁶ м^-3. Чему равно при этой температуре удельное сопротивление кремния n-типа с концентрацией электронов n = 10²⁰ м^-3? Полагать, что подвижность электронов три раза больше подвижности дырок и что это соотношение сохраняется как для собственного, так и для примесного полупроводника с заданной степенью легирования.

Карбид кремния
https://youtu.be/qzn-1a9HheY

Тематика рефератов по курсу КЭТ.

1.            Варисторы.

2.            Вариометр (катушка переменной индуктивности).

3.            Переменные резисторы.

4.            Фоторезисторы.

5.            Терморезисторы.

6.            Тензорезисторы.

7.            Магниторезисторы.

8.            Переменные резисторы.

9.            Резисторы для ИМС.

10.        Варикапы.

11.        Вариконды.

12.        Переменные конденсаторы.

13.        Конденсаторы для ИМС.

14.        Электролитические конденсаторы.

15.        Электролюминесцентные конденсаторы.

16.        Дроссели.

17.        Катушки индуктивности для ИМС.

18.        Контурные катушки индуктивности.

19.       Импульсные трансформаторы.

20.       Кабеля.

21.       Подстроечные резисторы.

Напоминаю!!!

 Для получения зачета по данной дисциплине написание реферата обязательно!

Если тема по каким - либо причинам не подходит, ее можно заменить любой другой из вышеприведенного списка!