Видеоматериалы к теме "Пробой диэлектрика"

Добрый день!
Плохо ходим на занятия!!!!

1. Домашнее задание: задачи 3.5.4 и 3.5.11 до конца субботы.

2. Контрольная переносится с понедельника на среду. Т.Е. лекция будет в среду. А контрольную отправлю на почту.

3. В понедельник практика по МЭТ! Темы: Кремний. германий.карбид кремния.

Примерные контрольные по полупроводникам,

Модуль 2. Полупроводниковые материалы.

Вариант 1

1.      Неравновесные носители заряда. Механизмы рекомбинации в полупроводниках.

2.      Карбид кремния.

3.      Сколько  электронов  находится  на уровне Ферми в собственном    полупроводнике?

4.      Какие полупроводниковые материалы используются в качестве люминофоров?

5.      Определить подвижность и концентрацию  электронов  в  кремнии n-типа, удельное сопротивление которого r =1,8*10^-2 Ом м,  а коэффициент Холла R_H =2,1*10^-3 м³/Кл.

Вариант 2

1.      Поглощение света в полупроводниках.

2.      Полупроводниковые соединения типа А⁴В⁶

3.      При комнатной температуре средняя энергия тепловых колебаний атомов существенно меньше ширины запрещенной зоны полупроводников. Каким образом электроны из валентной зоны могут переходить в зону проводимости в собственном полупроводнике?

4.      Какие  материалы  используются  для изготовления инжекционных лазеров и светодиодов?

5.      Определить максимальную ширину запрещенной зоны,  которую может иметь полупроводник, используемый в качестве фотодетектора, если он должен быть чувствительным к излучению  с  длиной волны l = 565 нм.

Вариант 3

1.      Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках.

2.      Полупроводниковые соединения типа А²В⁶

3.      Основные признаки полупроводниковых материалов.

4.      Какие примесные элементы дают в Si и Ge мелкие акцепторные и примесные уровни?

5.      Вычислить диффузионную длину дырок в германии n-типа, если время жизни неосновных носителей заряда t_p = 10^-4 с, а коэффициент диффузии D_p = 4,8*10^-3 м²/c.

Вариант 4

1.      Германий.

2.      Эффект Холла.

3.      Объясните, какая из дырок обладает большей энергией: в центре валентной зоны или у ее потолка.

4.      В чем заключается отличие  рекомбинационных  ловушек от ловушек захвата? Как изменяется фотопроводимость полупроводников при увеличении числа рекомбинационных ловушек?

5.      Эпитаксиальный слой n - GaAs имеет при комнатной температуре удельное сопротивление 5*10^-3 Ом м. Определить концентрацию доноров в слое, если подвижность электронов 0,8 м²/(В с).

Вариант  5

1.      Кремний.

2.      Температурная зависимость подвижности носителей заряда.

3.      При каких условиях энергетические уровни примесей можно считать дискретными?

4.      Как с помощью эффекта Холла определить тип проводимости полупроводника?

5.      Удельное сопротивление антимонида индия с концентрацией дырок p=10²³ м^-3 при температуре 300К составляет 3,5 10^-4 Ом м. Определить подвижность электронов и дырок, если их отношение m_n/m_p = 40, а собственная концентрация носителей заряда при  этой температуре n_i = 2 10²² м^-3.

Вариант 6

1.      Фотопроводимость полупроводников.

2.      Карбид кремния.

3.      Что такое собственный полупроводник? Может ли примесный полупроводник обладать собственной электропроводностью?

4.      Назовите химические элементы, обладающие свойствами полупроводников. Какие из них имеют наибольшее применение?

5.      Вычислить удельное сопротивление p-Ge с концентрацией дырок 4*10¹⁹  м^-3. Найти отношение электронной проводимости к дырочной. Собственная концентрация носителей заряда 2,1*10¹⁹ м^-3, подвижность электронов 0,39 м²/(В с), дырок 0,19 м²/(В с).

Вариант 7

1.      Люминесценция в полупроводниках.

2.      Полупроводниковые соединения типа А²В⁶

3.      Может ли проводимость полупроводника уменьшаться при  повышении температуры?

4.      Объясните, почему при одинаковом содержании примесей  поликристаллический кремний обладает более высоким удельным сопротивлением, чем монокристаллический материал.

5.      Определить удельное сопротивление полупроводника n - типа, если концентрация электронов проводимости в нем равна 10²² м^-3, а их подвижность 0,5 м²/(В с).

Вариант 8

1.      Полупроводниковые соединения типа А³В⁵.

2.      Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводниках

3.      Каким  соотношением связаны между собой концентрации электронов и дырок в невырожденном полупроводнике при  термодинамическом равновесии?

4.      Существует ли принципиальное различие между электронами проводимости в полупроводниках (и металлах) и свободными электронами?

5.      При напряженности электрического поля 100 В/м плотность тока через полупроводник 6*10⁴ А/м². Определить концентрацию электронов проводимости в полупроводнике, если их подвижность 0,375 м²/(В*с). Дырочной составляющей пренебречь.

Вариант 9

1.      Температурная зависимость проводимости в полупроводниках.

2.      Кремний.

3.      Назовите основные механизмы поглощения света в  полупроводниках. Какие из них являются фотоактивными?

4.      Почему у соединений типа А²В⁶ возникают сложности с инверсией типа проводимости?

5.      Концентрация электронов проводимости в полупроводнике равна 10¹⁸ м^-3. Определить концентрацию дырок в этом полупроводнике, если известно, что собственная концентрация носителей заряда при этой же температуре равна 10¹⁶ м^-3.

Вариант 10

1.      Собственный и примесный полупроводник.

2.      Полупроводниковые соединения типа А⁴В⁶

3.      Что понимают под фоторезистивным эффектом?

4.      Каким  типом  электропроводности обладают полупроводники типа А³В⁵, легированные атомами элементов IV группы Периодической таблицы элементов?

5.      Удельное сопротивление собственного кремния при 300 К равно 2000 Ом м, собственная концентрация носителей заряда n_i = 1,5 10¹⁶ м^-3. Чему равно при этой температуре удельное сопротивление кремния n-типа с концентрацией электронов n = 10²⁰ м^-3? Полагать, что подвижность электронов три раза больше подвижности дырок и что это соотношение сохраняется как для собственного, так и для примесного полупроводника с заданной степенью легирования.

Видео материалы
к лекции по КЭТ на тему "Катушки индуктивности"

Завтра, 14.05.20 лекция по КЭТ

Доброе утро! 13.05.20

Лекция на тему: "Поляризация диэлектриков, механизмы поляризации, электропроводность диэлектриков". 

Презентация на почте.

Литература:

1. Материалы электронной техники. С. 182 — 189..
2. Колесов С.М.  Материаловедение и технология конструкционных материалов. С.44 — 46, 55 — 62, 68 — 72..
3. Журавлева Л. В., Электроматериаловедение  С. 144- 151.. 

14.05.20 — практическое занятие по МЭТ и КЭТ (видеоконференция).

18,05.20 — контрольная работа по МЭТ (Полупроводниковые материалы).

Пока решаем задачи, которые на блоге и повторяем вопросы для самоконтроля .

Видеоматериалы к лекции на тему "Механизмы поляризации диэлектриков. Электропроводность диэлектриков"

Литература

 к лекционному занятию 6.05.20

1. Материалы электронной техники. С. 159 — 180..
2. Колесов С.М.  Материаловедение и технология конструкционных материалов. С.322— 336..
3. Журавлева Л. В., Электроматериаловедение  С. 129 - 138. 

7.07.20 — практическое занятие по МЭТ(видеоконференция).

7,05.20 — контрольная работа по КЭТ (Конденсаторы).

Видеоматериалы

к теме "Полупроводниковые соединения типа А3В5; А2В6; А4В6"

Видеоматериалы 

к лекции 29.04.20

"Германий. Кремний. Карбид кремния"

Напоминаю, 7 мая контрольная работа по курсу КЭТ
на тему "Конденсаторы"

Примерная контрольная 

(есть на сайте ДГУ в рабочей программе по КЭТ)

Контрольная работа 2

Конденсаторы

Вариант 1

1.       Классификация конденсаторов.

2.       Перечислите типичные конструкции конденсаторов.

3.       На рисунке приведена ____________ конструкция конденсатора.

4.       Как изображают конденсаторы на принципиальных схемах?

5.       На рисунке буквой «д» приведено обозначение конденсатора, который называется ________.

6.        В наборе цифр, означающих номинальное значение емкости, вместо _________ ставят букву, указывающую в каких единицах выражена емкость.

7.        Справедливо ли утверждение, что бумажные конденсаторы используются как высокочастотные ?________.

8.       Напряженность электрического поля плоского воздушного конденсатора емкостью 4 мкФ равна 100 В/м. Расстояние между обкладками конденсатора 1 мм. Определите энергию электрического поля конденсатора.

Вариант 2

1.   Основные конструкции конденсаторов.

2.   Как можно условно разделить  конденсаторы по назначению?:

3.   На рисунке приведена ____________ конструкция конденсатора.

4.   Что оказывает наибольшее влияние на емкость конденсатора?

5.   Переменный конденсатор обозначен на рисунке буквой _____.

6.   Полупроводниковый диод с обратносмещенным p - n – переходом, который используется в качестве электрически управляемой емкости называется ____________.

7.   Справедливо ли утверждение, что существует сухие бумажные конденсаторы ? ________.

8.    Между обкладками изолированного плоского конденсатора, заряженного до разности потенциалов 400 В, находится пластина с диэлектрической проницаемостью e = 5, примыкающая вплотную к обкладкам. Какова будет разность потенциалов между обкладками конденсатора после удаления диэлектрика?

Вариант 3

1.       Параметры конденсаторов.

2.       Из названия конденсаторов ___________ емкости вытекает, что их емкость является фиксированной и в процессе эксплуатации не регулируется.

3.       Справедливо ли утверждение, что на рисунке приведена пакетная конструкция конденсатора? (ответить да или нет):

4.       Что является основными параметрами конденсатора?

5.       Выберите среди приведенных ниже обозначений то, которое соответствует электролитическому конденсатору_______.

6.       Конденсатор с диэлектриком из сегнетоэлектрического материала называется__________.

7.       Особенностью электролитических конденсаторов является _____________.

8.       Расстояние между обкладками плоского воздушного конденсатора 0,3 см. Во сколько раз увеличится энергия электрического поля конденсатора, если обкладки конденсатора раздвинуть до расстояния 1,2 см? Конденсатор после сообщения ему электрического заряда был отключен от источника напряжения.

Вариант 4

1.       Система обозначений и маркировка конденсаторов.

2.       Конденсаторы __________ допускают изменение емкости в процессе функционирования аппаратуры.

3.       На рисунке приведена ___________ конструкция конденсатора.

4.       Единственным тугоплавким металлом, используемым для создания электролитических и тонкопленочных конденсаторов, является __________.

5.       Вариконд  обозначен на рисунке буквой ____

6.       Для цветовой индексации номинальной емкости и допуска на корпусе миниатюрных конденсаторов используют ____ цветных полоски вблизи одного из торцов.

7.       Справедливо ли утверждение, что бумажные конденсаторы обладают большой емкостью? ________.

8.        Плоский воздушный конденсатор емкостью 1 мкФ соединили с источником напряжения, в результате чего он приобрел заряд 10 мкКл. Расстояние между пластинами конденсатора 5 мм. Определите напряженность поля внутри конденсатора.

Вариант 5

1.       Основные разновидности конденсаторов.

2.       Как подразделяют конденсаторы по характеру изменения емкости?

3.       На рисунке приведена ____________ конструкция конденсатора.

4.       ___________ конденсатор образуется путем свертывания в рулон бумажной ленты толщиной около 5 - 6 мкм и ленты из металлической фольги  толщиной около 10 - 20 мкм.

5.       Выберите на рисунке обозначение конденсатора, созданного на основе сегнетоэлектрика_________.

6.       Какие параметры указывают на принципиальных схемах около конденсаторов?

7.       Что является единственным недостатком керамических конденсаторов?

8.       Расстояние между пластинами заряженного плоского конденсатора уменьшили в 2 раза. Во сколько раз увеличится при этом напряженность поля конденсатора, если он все время остается присоединенным к источнику напряжения?.

Вариант 6

1.       Конденсаторы с нелинейной ВФХ (варикап).

2.       Что представляет собой простейший конденсатор?

3.       На рисунке приведено устройство __________ ____конденсатора.

4.       Рулонная конструкция конденсаторов характерна для __________ пленочных низкочастотных конденсаторов, обладающих большой емкостью.

5.       Подстроечный конденсатор обозначен на рисунке буквой ____.

6.       Маркой, в которую входят буквы КН, цифры, соответствующие точке Кюри, и порядковый номер изделия, обозначается___________.

7.       Какие конструкции конденсаторов относятся к высокочастотным?

8.       Емкость плоского конденсатора равна 6 мкФ. Чему будет равна его емкость, если расстояние между пластинами увеличить в 2 раза, а затем пространство между пластинами заполнить диэлектриком с e = 5?

Вариант 7

1.       Конденсаторы с нелинейной ВФХ (вариконд).

2.       Количественной мерой способности накапливать электрические заряды является _________ конденсатора.

3.       На рисунке приведена ________ конструкция конденсатора.

4.       Что используют в качестве конденсаторов полупроводниковых ИМС?

5.       К конденсаторам специального назначения относятся конденсаторы, приведенные на рисунке, обозначенные буквами _______.

6.      Установить соответствие между маркировкой конденсаторов и характером изменения емкости: 1. К; 2. КП; 3. КТ

7.       Изменение емкости обусловлено изменением линейных размеров обкладок конденсатора и диэлектрика, но в основном изменением ____________ диэлектрика.

8.       Конденсатор образован двумя квадратными пластинами, отстоящими друг от друга в вакууме на расстояние 0,88 мм. Чему должна быть равна сторона квадрата, чтобы емкость конденсатора составляла 1 пФ?

Доброе утро! Новые темы: Германий, Кремний,Карбид кремния. 

Презентации  на почте

Литература:

1. Материалы электронной техники. С. 133 — 159..
2. Колесов С.М.  Материаловедение и технология конструкционных материалов. С.313— 319, 322-324..
3. Журавлева Л. В., Электроматериаловедение  С. 109 — 123, 127 -129. 

30.04.20 — практическое занятие по МЭТ и КЭТ (видеоконференция).

6,05.20 — контрольная работа по КЭТ (Конденсаторы).

Пока решаем задачи, которые на блоге и повторяем вопросы для самоконтроля (32)

Решаем задачи!

Кто хочет получить более 66 баллов по МЭТ - решаем задачи. 

Они все однотипные, открываем учебник, не спим днем.

Задачи: 3.2.7 - 3.2.10; 3.2.13; 3.2.14; 3.2.17; 3.3.8; 3.2.52

 Крайний срок: 30 апреля